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  • 無電解Ni/(Pd)/Au(Ag)めっきプロセス
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  • TORYZA NCR GMW-LF

    • 金めっきとの密着性に優れる。
      鉛化合物を含有しない。
      均一な半光沢外観の皮膜が得られる。
      ファインパターン性に優れる。
    • 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス

      無電解ニッケルめっき液
    • アルミニウム合金, ウエハ, 銅合金

  • TORYZA NCR HRC

    • 硫黄フリー低リンタイプ（P:1.5〜2.5wt%)の無電解Ni-Pめっき液。
      高温接合、高温常用が必要なパワー半導体向け。
      耐クラック性に極めて優れ、400℃以上の熱処理後でも皮膜脆化が発生しにくい。
    • 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス

      無電解ニッケルめっき液
    • ウエハ

  • TORYZA NCR MLP

    • 硫黄フリー低リンタイプ（P:2〜3wt%)の無電解Ni-Pめっき液。
      高温接合、高温常用が必要なパワー半導体向け。
      300〜350℃の熱処理後でも耐クラック性に優れる。
      経時によるはんだ濡れ性の低下が少ない。
    • 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス

      無電解ニッケルめっき液
    • ウエハ

  • TORYZA NCR GM(NP)

    • 鉛フリー、中リンタイプ（P:6-8wt%）の無電解Ni-Pめっき液。
      ファインパターン性に優れる。
    • 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス

      無電解ニッケルめっき液
    • ウエハ