- TORYZA PD
- エレクトロニクス
- 半導体
- 無電解Ni/(Pd)/Au(Ag)めっきプロセス
- ピックアップ:
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- 下地ニッケルに影響を与えることなく、緻密で耐熱性に優れたパラジウム皮膜が得られる。
パラジウム上に金めっきを行うことで優れたはんだ接合性、金ワイヤーボンディング性が得られる。
2ターンまでの連続使用が可能。
中性浴のため基材へのダメージが少なく、有害なシアン化合物を含有しない。
- 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス無電解パラジウムめっき液
- ウエハ
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- 中性ノーシアンタイプの無電解Pdめっき液。
パラジウム純度99wt%(P含有率:1wt%未満)のめっき皮膜が得られる。
下地のニッケルめっき皮膜にダメージを与えることなく、緻密なパラジウムめっきが可能。
ニッケル/パラジウム/金めっきの膜構成で、優れたはんだ接合性、金ワイヤボンディング性が得られる。
- 無電解Ni/(Pd)/Auめっきプロセス無電解パラジウムめっき液
- ウエハ