パワー半導体デバイスへのめっきの適応例
技術紹介:「銅接合絶縁放熱回路基板への無電解めっきプロセス」はこちら
技術紹介:「アルミ接合絶縁放熱回路基板への無電解めっきプロセス」はこちら
パワーエレクトロニクスの基幹部品であるパワー半導体は、従来のシリコンからSiC, GaNなど、大きなバンドギャップと高い移動度を両立する材料への転換が進んでいます。
これらの化合物半導体を用いたパワーデバイスは、その物性により高温動作が可能であり、パッケージ技術には高温環境下での信頼性が求められています。
奥野製薬工業は、長年培ってきた無電解めっき技術で、パワー半導体デバイスの高性能化に貢献します。
アルミニウムスパッタ膜の表面の汚れを除去します。
アルミニウムスパッタ膜をエッチングすることで、酸化膜を除去します。
TORYZA ALCシリーズは脱脂とエッチングを同時に行います。
アルミニウム電極表面の濡れ性を向上させ、後工程のジンケート(亜鉛置換)での緻密な皮膜形成を助けます。
エッチングでアルミニウム電極表面に残存した不溶解物(スマット)を除去します。
アルミニウム電極表面に緻密な亜鉛置換膜を形成します。
第1ジンケートによる亜鉛置換膜を溶解します。
表面形状に追随した均一な酸化皮膜を形成され、第2ジンケートでのより緻密な置換膜形成を助けます。
第1ジンケートよりさらに緻密な亜鉛置換膜を、アルミニウム電極表面に形成します。
ニッケル塩、還元剤、キレート剤を含む無電解ニッケルめっきに浸漬することで、ニッケルが亜鉛と置換反応を起こして析出し、自己触媒反応でめっきが進行、緻密なニッケル皮膜を形成します。
耐熱性、バリア特性に優れたパラジウム皮膜を得ます。
はんだ濡れ性、はんだ接合性、金ワイヤボンディング性に優れた金めっきを得ます。
技術紹介:半導体ウエハ向け表面処理 「TORYZA(トライザ)」もあわせてご覧ください
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